Точность влияет на размер. Предположим, надо получить
гарантированный размер транзистора 20нм, меньше нельзя из-за
туннельных эффектов. Технология позволяет создавать структуры с
точностью +-20нм. Значит надо закладывать транзисторы 40нм,
получаться будут 20-60нм, т.е. расставлять из надо исходя из 60нм.
Предположим технологию улучшили, и теперь точность +-10нм, т.е.
транзисторы можно закладывать 30нм, получаться будет 20-40нм, т.е.
плотность транзисторов увеличилась в 1 .5^2=2.25 раза, хотя их размер как бы не изменялся.