Ответ: Без достоверных моделей полупроводников
Защиту поведенческих моделей ОУ на RCL не одобрили (некогда точить пилу - надо пилить, как умеем).
Вот я и попробовал экстагировать упомянутые далее "основные" параметры без декапсуляции, зондовой станции и характериографа.
Тов. Hans "555 timer" Kamenzind, которого я часто цитирую, считает, что достаточно учитывать в симуляции по постоянному току не так уж много параметров модели Гуммеля-Пуна (пишу по памяти):
- Ток насыщения Is, определяющий Vbe при заданном диапазоне коллекторных токов;
- Коэффициент усиления (не h21e в общем случае) в нормальном режиме Bf;
- Эффект Эрли Vaf;
- Сопротивление базы Rb.
А разработчик ИМС с Интеграла(?), bordodynov (kazus, ltwiki) писал, что Nf в принципе не должен сильно превосходить единицу.
И дальше - знание "гитик" следующих порядков:
- Если попадаем в область больших [плотностей] токов - добавляем параметр падения Bf при больших токах коллектора. Когда, словами ХиХ, "переход база-коллектор побеждает "транзисторного человечка".
- Если попадаем ниже единиц(?) мкА - добавляем параметр падения Bf при малых токах коллектора. Когда проявляется рекомбинация и всякая неидеальность эмиттерного перехода.
- В обоих крайних случаях - добавляем параметры нелинейности сопротивления базы Rb.
- И т.д.
Былое и думать: https://caxapa.ru/998042.html
Toчкa oпopы (27.10.2023 21:27, просмотров: 110) ответил Adept на а смысл?? параметры определяются во многом (если не в основном)
параметрами транзисторов. Биполярная модель транзистора
Гуммеля-Пуна содержит более 50(!) параметров и зависимостей,
некоторые и которых можно померить на стендах, некоторые вычислить
из конструкции топологии, а некоторые знает только производитель
прибора (а ещё ряд вообще определяются косвенными методиками на
измерительных установках, т.к. даже производитель их не знает). Без
достоверных моделей