ВходНаше всё Теги codebook 无线电组件 Поиск Опросы Закон Среда
8 мая
1375275 Топик полностью
RxTx (24.11.2023 21:42, просмотров: 92) ответил RxTx на А вот и статеечка. С arxiv сдёрнул. Вкуриваем, делимся пониманием...
Это устройство, как я понял читая статью, поинтереснее чем это написали журналисты. В целом устройство позволяет выполнить свёртку двух DSP цифровых "сигналов", один поступает, второй хранится. Есть набор транзисторов, по сути это запрограмированная память FLASH. Ячейки хранят на плавающих затворах полевых транзисторов некий УРОВЕНЬ (multi-level cell). Свою функцию устройство как я понял выполняет так. Через второй затвор транзистора у каждой ячейки памяти пропускается 

импульс. В итоге FET транзистор ячейки. пропустит импульс АНАЛОГОВО, в зависимости от того, насколько он "прикрыт" затвором хранящим значение. Как я понимаю, так они делают перемножение сигналов. Ну а далее сигналы складываются. То есть реализуется своеобразное полуаналоговое MADD. Они реализовали структуру 32x32 = 1024 элемента и пробовали запрограммировать на затворы матрицы характерные для low-pass, high-pass фильтров но эта структура универсальна, и пригодна для DSP и AI задач. На первый взгляд после 10 минут беглого чтения как-то так. Далее надо вычитывать повторно и просеивать информацию. In-memory computing.

Важно что это не теория, а получены реальные устройства в реальном кремнии готовые к массовому производству (выход устройств 83.1%). MoS2 материал затвора FGFET изолятор HfO2 (база на стандартной FLASH Memory).