Visitor (26.11.2023 15:48, просмотров: 72) ответил Adept на "условно параметрическим" :)) там же имитация стабилитрона - целая интегральная схема
унутре :) а параметрический это как раз там, где параметр элемента
игроять рояль, без всяких обратных связей, переходных процессов и с
очень высоким быстродействием (на например супрессор :))-
- вроде околонулевое в районе 4,7..6,8 должно быть.
Термокомпенсированные прецизионные КС175-е как раз в этом диапазоне
(были ещё какие-то, то ли 430-е, толи 521-е - не упомню уж) - Adept(26.11.2023 16:01)
- термокомпенсироваанные (внутри несколько последовательных кристаллов) 818, 190, 191 (ну как мне помниццо) и там 9 вольт с хвостиком, точнее лень идти к полке за справочником. - Alex68(26.11.2023 17:49)
- у меня в памяти осталось что-то типа 6.3 - 7.2 - Alex68(26.11.2023 17:18)
- Дата шита NXP. Бapбoc(1 знак., 26.11.2023 17:33, картинка)
- У Роберта Алана Пиза где-то было написано, что в районе 6В влияние туннельного эффекта примерно сравнивается с вероятностью лавинного пробоя обратно-смещенного P-N-перехода. Поэтому до 6В в стабилитронах используется преимущественно туннельный эффект, а выше 6В - лавинный пробой. - reZident(26.11.2023 17:24)
- На серию TSMC доки смотрел, там линии в районе 2.7 В пересекаются. - Visitor(26.11.2023 16:16)
- наверное от нюансов технологии изготовления зависит всё. - Adept(26.11.2023 16:22)
- Скорее, технология + свойства материалов некую область стабильности дают. И разную. - Visitor(26.11.2023 16:56)
- наверное от нюансов технологии изготовления зависит всё. - Adept(26.11.2023 16:22)
- вроде околонулевое в районе 4,7..6,8 должно быть.
Термокомпенсированные прецизионные КС175-е как раз в этом диапазоне
(были ещё какие-то, то ли 430-е, толи 521-е - не упомню уж) - Adept(26.11.2023 16:01)
