16+
Суббота
17 ноября
Вход |Карта сайта | |Upload |codebook | PARTS

 О смысле всего сущего 0xFF

 Средства и методы разработки

 Мобильная и беспроводная связь

 Блошиный рынок Объявления

caxapa

Микроконтроллеры ARM 

AVR PIC MSP PLD,FPGA,DSP 

Кибернетика Технологии 

Схемы, платы, компоненты 

Схемы, платы, компоненты

 
   Новая тема Правила Регистрация Поиск »» Архив
Вернуться в конференциюТопик полностью
Evgeny_CD  (30.06.2018 00:10 - 30.06.2018 00:17, файл(ы), просмотров: 253)
[SOA ОБР SiC <-> MOSFET] В классе 1200В "около 10А" 
Всем хороши SiC, но ОБР (область безопасной работы) у них дохлая - при напряжении 1000В одиночный импульс 1А длительностью 1 мс (только у одного типа) и менее (у остальных). Причем это транзисторы разных фирм! Первый попавшийся старый добрый MOSFET имеет в 7+ раз больше подзатворную емкость, но ОБР - 1000В 3А 1 мс. Вот такой вот нюанс :)
Прикреплённые файлы:
APT40SM120B_C.pdf:438 K
GA10JT12-263.pdf:1296 K
Littelfuse_Power_Semiconductor_Silicon_C.pdf:936 K
c2m0080120d.pdf:941 K
en.DM00036727.pdf:807 K
en.DM00170798.pdf:232 K

Главная | Карта сайта | О проекте | Проекты | Файлообменник | Регистрация | Вебмастер | RSS
Лето 7527 от сотворения мира. При использовании материалов сайта ссылка на caxapу обязательна.
MMI © MMXVIII