16+
Суббота
15 декабря
Вход |Карта сайта | |Upload |codebook | PARTS

 О смысле всего сущего 0xFF

 Средства и методы разработки

 Мобильная и беспроводная связь

 Блошиный рынок Объявления

caxapa

Микроконтроллеры ARM 

AVR PIC MSP PLD,FPGA,DSP 

Кибернетика Технологии 

Схемы, платы, компоненты 

Технологии

 
   Новая тема Правила Регистрация Поиск »» Архив
Вернуться в конференциюТопик полностью
Ксения  (05.12.2018 22:38, ссылка, просмотров: 443)
Intel придумала замену транзисторам 
Исследователи из компании Intel, Калифорнийского университета в Беркли и Национальной лаборатории им. Лоуренса в Беркли разработали магнитоэлектрический спин-орбитальный (МЭСО) логический элемент, который должен прийти на смену комплементарным структурам металл-оксид-полупроводников (КМОП), то есть обычным транзисторам. Результаты исследования были опубликованы в журнале Nature, о них также сообщила Intel на своем сайте. Intel считает, что применение МЭСО сможет вывести электронику из тупика, в которой она зайдет, когда миниатюризировать дальше современные транзисторы станет невозможно. Преимуществом МЭСО является то, что напряжение, необходимое для его переключения, в пять раз ниже напряжения при переключении КМОП. Проведенные эксперименты показали, что для переключения достаточно 500 мВ, но ученые подсчитали, что это значение можно довести до 100 мВ. В результате процессоры на МЭСО будут потреблять в 10-30 раз меньше энергии по сравнению с чипами на транзисторах, плюс будут сверхэкономными в спящем режиме. В перспективе можно говорить о повышении энергоэффективности в 10-100 раз по сравнению с тем, чего в будущем можно добиться от КМОП. Ученые сообщают, что МЭСО может вместить в пять раз больше логических операций на том же пространстве по сравнению с КМОП. Кроме того, МЭСО может использоваться одновременно и для обработки, и для хранения данных — в каждый элемент можно записать по крайней мере 1 бит информации. Дело в том, что МЭСО изготавливаются из так называемого мультиферроика — соединения висмута, железа и кислорода (BiFeO3). Этот материал был впервые создан в 2001 г. Рамаморти Рамешем (Ramamoorthy Ramesh), профессором математики и инженерии Калифорнийского университета в Беркли и главным автором статьи в Nature. Мультиферроик имеет два состояния — магнитное и ферроэлектрическое — которые связаны друг с другом. Меняя электрическое поле, можно изменить магнитное состояние. Таким образом, в качестве 0 и 1 здесь выступает восходящее и нисходящее направление намагниченности, которая меняется за счет манипуляций с полем. Главным прорывом в создании МЭСО стало появление топологических материалов со спин-орбитальным эффектом, который позволяет эффективно считывать состояние мультиферроика. В МЭСО электрическое поле изменяет дипольное электрическое поле по всему материалу, что в свою очередь изменяет электронные спины, которые генерируют магнитное поле. Эта способность исходит из спин-орбитальной связи, квантового эффекта в материалах, который вырабатывает ток, определяемый направлением вращения электрона. «МЭСО — это элемент, сделанный из квантовых материалов комнатной температуры», — поясняет Сасикант Манипатруни (Sasikanth Manipatruni), старший научный сотрудник и директор Научно-технологического центра Intel по интеграции и производству функциональной электроники.
 [x][x][x][x][x][x] [x][x][x][x][x][x][x][x]

Тема выделяется по переводу строки или автоматом

 

Имя


Регистрация позволит вам редактировать и перемещать ваши сообщения и прикреплять к ним файлы.
 
Символы: á é ó ú ý « »
Главная | Карта сайта | О проекте | Проекты | Файлообменник | Регистрация | Вебмастер | RSS
Лето 7527 от сотворения мира. При использовании материалов сайта ссылка на caxapу обязательна.
MMI © MMXVIII