Вход Наше всё Теги codebook 无线电组件 Поиск Опросы Закон Вторник
7 мая

О смысле всего сущего 0xFF Средства и методы разработки Мобильная и беспроводная связь Блошиный рынок Объявления

Микроконтроллеры PLD, FPGA, DSP AVR PIC ARM, RISC-V Технологии Кибернетика, автоматика, протоколы Схемы, платы, компоненты

Схемы, платы, компоненты

957863 Топик полностью

De_User (10.11.2019 06:46, просмотров: 101) ответил De_User на Два разных MOSFET. Сgate 4'500 и 1'600 пФ, Trise+Tfall = 46 и 25 нс. По расчётам, чтобы сделать одинаковыми - замедлить, нужно установить дополнительную ёмкость в затвор 20 нФ - в 7 (семь) раз больше "разницы". ЧЯДНТ?

2 Yurasvs: как оно должно быть на самом деле - практически?

Let's come together right now !

Ответить

- Ориентироваться не на емкости, а на total gate charge. Скорость регулировать резистором в затворе, уточнять экспериментально. Емкость добавляют только тогда, когда необходимый резистор получается слишком большим и существует вероятность пробоя Yurasvs(53 знак., 10.11.2019 10:10)
  - Спасибо! Полагал, что заряд входа управления преимущественно на длину "плато Миллера" влияет (как на картинке). Получается, что т.к. доп. ёмкость подобрать сложнее, проще резистором подстроить? De_User(230 знак., 10.11.2019 12:05 - 12:31)
    - Да, но если резистор не получается слишком большим. Это выражается в том, что провал напряжения затвор-исток (зеленого графика) на третьем участке диаграммы включения происходит чуть ли не до нуля, иногда с возникновением колебаний. Также большой Yurasvs(310 знак., 10.11.2019 12:36)