ВходНаше всё Теги codebook PARTS Поиск Опросы Закон Понедельник
25 мая
66656463626160595857
Новая тема
Alien
Премьера великого мифа Ридли Скотта1979 год
Разрешение на применение для бытового использования серии источников питания STEP
Phoenix Contact сообщает, что источники питания STEP POWER теперь сертифицированы по DIN EN 60335-1. В дополнение к стандартным промышленным сертификатам источники питания STEP POWER сертифицированы по DIN EN 60335-1 для применения в жилых зданиях. Они отвечают соответствующим требованиям к безопасности электрического оборудования и являются идеальным решением для бытового использования и схожих …25-05-2020
TFT LCD дисплей 10.4” с технологией Blanview-F от Ortustech
Компания Ortustech анонсировала выпуск LCD TFT дисплея с диагональю 10,4 дюйма для работы при ярком солнечном свете – COM1049M1022-05-2020
Доступен для заказа каталог по продукции компании Nuvoton
В разделе "Библиотека" доступен для заказа каталог "Nuvoton: Перспективная продукция". В каталоге объемом 50 страниц представлена следующая продукция компания Nuvoton: микроконтроллеры Cortex-M и 8051, микропроцессоры ARM9, аудиокодеки и усилители, микросхемы ChipCorder, эффект-процессоры.22-05-2020
На склад поступил отладочный набор NK-M032SE производства компании Nuvoton
Поступили на склад оценочные наборы NK-M032SE для микроконтроллеров серии M031/M032 производства компании Nuvoton.22-05-2020
Компания Microchip выпустила новый источник опорного напряжения (ИОН) MIC4043
Компания Microchip выпустила новый источник опорного напряжения (ИОН) MIC4043. Микросхема MIC4043 отличается наличием раздельных выводов питания и выхода, вследствие чего может быть отнесена к ИОН с параллельной архитектурой. Помимо своей непосредственной функции, MIC4043 может использоваться в качестве усилителя обратной связи в источниках питания, компаратора со встроенным ИОН и других устройст…22-05-2020
Микро ВЧ разъёмы и сборки c поддержкой частот до 45 ГГц от I-PEX
Компания I-PEX разработала серию малоформатных ВЧ разъёмов и кабельных сборок с максимальным показателем КСВ=1,68 на частоте 45 ГГц - серия MHF® 721-05-2020
Представлена система на модуле на базе новейшего семейства ПЛИС Intel® AGILEX
Представлена система на модуле на базе новейшего семейства ПЛИС Intel® AGILEX21-05-2020
Новые импульсные стабилизаторы напряжения Bothhand
Компания Bothhand (Тайвань) расширила свой ассортимент DC/DC преобразователей и приступила к выпуску пяти новых серий неизолированных импульсных стабилизаторов напряжения. Все пять серий выпускаются в корпусе SIP3 с расположением выводов, совместимых с линейными стабилизаторами 78-й серии. Выходной ток стабилизаторов от 0,5 до 2 А. Модули имеют встроенные защиты от короткого замыкания и перегрева.…21-05-2020
GaAs wafer market to grow by 2.27 million tonnes at 14% CAGR through 2024
The gallium arsenide (GaAs) wafer market will grow by 2.27 million tonnes, at a compound annual growth rate (CAGR) of 14%, during 2020-2024, forecasts market research firm Technavio. Specifically, the year-on-year for 2020 is estimated to be 13.62%...22-05-2020
Infineon launches modular evaluation platform to test driving options for discrete CoolSiC MOSFETs
Since double pulse testing is a standard procedure for designers to learn about the switching behavior of power devices, Infineon Technologies AG of Munich, Germany has introduced a modular evaluation platform to facilitate the testing of drive options for its 1200V CoolSiC MOSFET in TO247 3-pin and 4-pin packages. ..22-05-2020
Vibrational hierarchy leads to dual-phonon transport in low thermal conductivity crystals
22-05-2020
University of Tokyo makes record-mobility tin oxide thin films with transparent properties
Researchers at the University of Tokyo have achieved the highest mobility among thin films of tin dioxide ever reported (Michitaka Fukumoto et al, ‘High mobility approaching the intrinsic limit in Ta-doped SnO2 films epitaxially grown on TiO2 (001) substrates’, Scientific Reports 10, article no. 6844). This high mobility could allow the creation of thin and even transparent tin dioxide semiconduct…21-05-2020
Excitonic complexes in 2D semiconductors exploited to achieve optical gain
Led by associate professor Hao Sun of China’s Tsinghua University, Cun-Zheng Ning, a professor of electrical engineering in the Ira A. Fulton Schools of Engineering at Arizona State University (ASU), and his peers have explored the intricate balance of physics that governs how electrons, holes, excitons and trions coexist and mutually convert into each other to produce optical gain (Zhen Wang et a…21-05-2020
Power Block MOSFET from Diodes Incorporated Increases Power Converter Efficiency and Saves PCB Space
Diodes Incorporated (Nasdaq: DIOD) today announced the availability of the first in a new generation of discrete MOSFETs. The DMN3012LEG delivers increased efficiency in a smaller package to provide significant cost, power, and space savings in a wide variety of power conversion and control applications.The DMN3012LEG integrates dual MOSFETs in a single package measuring just 3.3mm x 3.3mm and red…21-05-2020
LayTec’s EpiTT Band Edge tool used for ZnO substrate temperature and growth rate control in MBE
In a recent project, the group of professor C. Meier at the University of Paderborn – which is focusing on modern methods of nanofabrication and nanotechnology with the aim of developing novel devices for photonics, plasmonics and nonlinear processes – has grown zinc oxide (ZnO) structures using molecular beam epitaxy (MBE) both by homoepitaxy on ZnO substrates and by heteroepitaxy on sapphire and…20-05-2020
LayTec’s reports use of EpiTT FaceT for process control of laser facet passivation in MBE
After in January reporting the use of its EpiTT FaceT temperature metrology system for improving the yield of facet coating processes in large production molecular beam epitaxy (MBE) systems for high-power gallium arsenide (GaAs)-based lasers, LayTec AG of Berlin, Germany is now sharing the latest data on the EpiTT FaceT’s performance: beyond facet temperature sensing in the range between room tem…20-05-2020
Single and bundled carbon nanofibers as ultralightweight and flexible piezoresistive sensors
20-05-2020
Spin-controlled generation of indistinguishable and distinguishable photons from silicon vacancy centres in silicon carbide
20-05-2020
Seoul Semiconductor files patent litigation against automotive LED light distributor Onyx
South Korean LED maker Seoul Semiconductor Co Ltd has filed a patent infringement lawsuit in the United States District Court for the District of New Jersey against automotive component distributor Onyx Enterprise Int’l Corp, which operates CARiD.com (one of the largest online platforms for offering car parts and accessories, distributing various automotive LED lights such as automotive headlamps,…19-05-2020
SweGaN’s buffer-free GaN-on-SiC HEMT epi demonstrates competitive microwave performance and device efficiency
SweGaN AB of Linköping, Sweden, which manufactures custom gallium nitride on silicon carbide (GaN-on-SiC) epitaxial wafers (based on a unique growth technology) for RF and power electronics devices, has announced a new benchmark for GaN high-frequency devices based on its QuanFINE material, reckoning that the demonstration promises commercial benefits for the entire GaN RF value chains including t…19-05-2020
GaN RF market growing at 12% CAGR to over $2bn in 2025, driven by 5G infrastructure and defense applications
The total gallium nitride (GaN) radio frequency (RF) market is rising at a compound annual growth rate (CAGR) of 12% from $740m to more than $2bn by 2025, forecasts market research and strategy consulting company Yole Développement in its annual report ‘GaN RF market: applications, players, technology, and substrates 2020’...19-05-2020
Industry-First, Automotive-Compliant ReDriver from Diodes Incorporated Enables DisplayPort via USB Type-C
Diodes Incorporated (NASDAQ: DIOD) today announced the industry's first automotive AEC-Q100 grade 3 qualified 10Gbps USB-C® DisplayPort™ Alternate (DP-Alt) mode linear ReDriver™ IC. The DP-Alt mode allows the transfer of DisplayPort signals through a USB Type-C® connector. Supporting 8.1Gbps DP1.4 and the 10Gbps USB 3.2 specifications, the PI3DPX1207Q provides a transparent, protocol-agnostic ReDr…19-05-2020
Effects of thermal annealing on localization and strain in core/multishell GaAs/GaNAs/GaAs nanowires
19-05-2020
Continuously-tunable light–matter coupling in optical microcavities with 2D semiconductors
19-05-2020