Evgeny_CD, Архитектор (24.11.2014 21:44, просмотров: 4652)-
- Сомневаюсь что весь сыр бор ради закона Мура, наверное переход к FinFET всё таки решает какие то технологические проблемы которые на бОльших техпроцессах не создают существенных проблем. ANV(499 знак., 24.11.2014 23:23)
- Количество тех. операций на тонких техпроцессах растет. Т.е. помимо роста стоимости комплекта шаблонов еще и растут затраты времени и реактивов на возню с ними. -> Двойное экспонирование - Evgeny_CD(24.11.2014 23:34, ссылка)
- TSV - пока еще слишком молодая технология. Но там уже наработали design rules, чтобы отверствия занимали мало. - Evgeny_CD(24.11.2014 23:30)
- Безусловно, но даже виа 10мкм по сравнению с 14нм техпроцесса выглядят как слон рядом с мышкой :) А виа надо много, делать широкие шины - ANV(24.11.2014 23:33)
- Ничего не бывает бесплатно. :) Кстати, TSV пока в основном для 45 и 32 нм применяют. - Evgeny_CD(24.11.2014 23:36)
- По сути это ответ на вопрос, почему Самсунг применил толстый техпроцесс для своей 3D флеш. Было бы выгодно применять TSV для 20 нм - применяли бы - ANV(25.11.2014 17:36)
- Толстый техпроцесс применил Intel, Samsung -> вроде что-то типа 20 нм применяет, но есть тонкость. С уменьшением размера число циклов падает столь стремительно, что, возможно, экономически выгоднее сделать по 45 нм, зато "дубовую" FLASH со 100к Evgeny_CD(19 знак., 25.11.2014 17:48, ссылка)
- Да ну ладно, Samsung 2nd Gen 86Gbit 40nm MLC V-NAND -> - ANV(25.11.2014 18:04, ссылка)
- Что говорит о следующем. NAND FLASH 20нм и тоньше получится непутевым, и перспективы идти и дальне по пути тонких техпроцессов в этом секторе нет. А плотность повышать надо. Тут-то и подоспели наработки по 3D. Решили делать бутерброд из 40 нм, Evgeny_CD(132 знак., 25.11.2014 18:12)
- Это говорит что Samsung захотел быть первым используя более дешевые технологии производства с примочками что бы удешевить память и открыть новые горизонты емкостей, Интел захотела того же, ибо печь далее флешку с ресурсом 1-3к - себя не уважать. А ANV(84 знак., 25.11.2014 18:23)
- Что говорит о следующем. NAND FLASH 20нм и тоньше получится непутевым, и перспективы идти и дальне по пути тонких техпроцессов в этом секторе нет. А плотность повышать надо. Тут-то и подоспели наработки по 3D. Решили делать бутерброд из 40 нм, Evgeny_CD(132 знак., 25.11.2014 18:12)
- Т.е. 3D FLASH не дает ответа на вопрос о применимости или не применимости технологии TSV как таковой для 20 нм и менее - есть локальные ограничения на выбор технологии. - Evgeny_CD(25.11.2014 17:51)
- Да ну ладно, Samsung 2nd Gen 86Gbit 40nm MLC V-NAND -> - ANV(25.11.2014 18:04, ссылка)
- Толстый техпроцесс применил Intel, Samsung -> вроде что-то типа 20 нм применяет, но есть тонкость. С уменьшением размера число циклов падает столь стремительно, что, возможно, экономически выгоднее сделать по 45 нм, зато "дубовую" FLASH со 100к Evgeny_CD(19 знак., 25.11.2014 17:48, ссылка)
- По сути это ответ на вопрос, почему Самсунг применил толстый техпроцесс для своей 3D флеш. Было бы выгодно применять TSV для 20 нм - применяли бы - ANV(25.11.2014 17:36)
- Ничего не бывает бесплатно. :) Кстати, TSV пока в основном для 45 и 32 нм применяют. - Evgeny_CD(24.11.2014 23:36)
- Безусловно, но даже виа 10мкм по сравнению с 14нм техпроцесса выглядят как слон рядом с мышкой :) А виа надо много, делать широкие шины - ANV(24.11.2014 23:33)
- Кстати, конецепция многоядерного процессора идеального подходит для бутерброда! Делаем интерпозер с контроллером памяти и L2 кешем, и на него "насаживаем" слои из ядер со своим L1 кешем. Если ядра делать !x86, чтобы жрали мало, то даже по теплу Evgeny_CD(26 знак., 24.11.2014 21:46)
- Сомневаюсь что весь сыр бор ради закона Мура, наверное переход к FinFET всё таки решает какие то технологические проблемы которые на бОльших техпроцессах не создают существенных проблем. ANV(499 знак., 24.11.2014 23:23)