Схемы, платы, компоненты

Битва за наноамперы. Подкиньте идеек.  Задачка такая: Есть индуктивный датчик (NiFeB магнит на кончике магнитопровода катушки реле). Служит для подсчета оборотов вала. Хотел сначала поставить компаратор MCP6541. Потом стало жаль 600 нА (как минимум. Реально будет больше), постоянно потребляющихся от батареи :) Попробовал в качестве порогового элемента и ключа для cmos входа контроллера с TШ обычный npn транзистор BC847. В текущем конструктиве, при номинальной скорости вращения вала расстояние от датчика до вала получилось около 5 мм. (положительная полуволна на базовом переходе ~ 0.7В) Хочется побольше чуток, ибо будет в дальнейшем латунный стакан, с тощиной стенки 2 мм... Т.е. останется всего 3 мм. Поставить катушку с бОльшим количеством витков не имею возможности, хоть это самый лучший вариант. Извратился чуток - поставил емкость в цепь базы последовательно с катушкой, а параллельно переходу Б-Э - диод шоттки (~200 мВ падение в прямом направлении). Эдакий "удвоитель напряжения" получился. Расстояние увеличилось почти до 10 мм, что гарно. Плохо, что скважность сигнала большая и для такой схемы стала важна полярность включения катушки - при проходе железки вблизи полюсного наконечника датчика (один "зуб" на оборот), сначала дожна сгенериться отрицательная полуволна, а потом положительная. Посоветуйте, что можно еще придумать этакое хитрое... Понятно, что германиевые транзистооры умерли. Может быть есть какие-нить специализированные кремниевые с пониженным напряжением Б-Э?