В комментариях к новости на IXBT говорят, что в 100,000 быстрее на запись и только в 10 на чтение, ссылаясь на старшего менеджера по разработке MRAM в IBM Research. FRAM только у TI в некоторых MSP430, но какие-то странные у неё свойства :) http://www.ti.com/ww/ru/mcu/fram_ultra_low_power_embedded_memory/fram_mcu_faqs.htm
На сайте TI по ссылке пишут, что:
Несмотря на наименование, FRAM является сегнетоэлектрической памятью и нечувствительна к воздействию магнитного поля, поскольку не содержит ферромагнитных материалов (железа). Ферроэлектрические материалы (сегнетоэлектрики) изменяют полярность в электрическом поле, но нечувствительны к магнитным полям.
Далее, вроде как знающие утверждают, что:
И как следствие, такая память имеет разрушающее чтение. Т.е. после любой операции чтения должна следовать операция восстановления данных. Похоже в чипах Ramtron и TI "операцию восстановления данных" сделали автоматической.
Кто в курсе, это так?
mut (27.04.2017 12:52 - 21:14, просмотров: 134) ответил misyachniy на FRAM уже устарел? "MRAM в 100 000 раз быстрее памяти NAND" - опять журналисты спутали прямой угол с температурой кипения воды?