Микроконтроллеры

Ой, блин, еще один? http://dssp.petrsu.ru/book/chapter5/part13.shtml
"Ток коллектора, ессно, не инвертируецца, просто в ём появляется та самая обратная составляюсчая." +++ В честь чего, собственно? Раньше, вишь, ее не было, а тут вдруг она появляется... Ну-ка, где граница ее появления, и что это за таинственное граничное условие? "При насысчении, когда мах ток коллектора ограничен" +++ Ток коллектора всегда "ограничен" и полностью детерменирован нагрузочной прямой и коллекторными хар-ками транзистора. "наблюдается избыток носителей, инжектированных эмиттером в том самом коллекторе." +++ Эмиттер инжектирует их в базу, а не в коллектор, это вообще азы. Часть инжектированныхз носителей (неосновных для базы) пролетают (тонкую) базу насквозь, не успевая рекомбинировать, и затем высасывается из базы коллектором. В коллекторе никакого избытка/недостатка нет, все что он отсосал из базы - тут же усвистывает в колекторную цепь (нагрузку) Разница между активным режимом и режимом насыщения состоит только в том, какова эта часть. Пока режим активный - основня часть пролетает в коллектор, малая часть ответвляется в базу. В насыщении - все меньшая часть попадает в коллектор. Не меньший ток (!) попадает в коллектор, отнюдь, ток коллектора продолжает даже слегка возрастать, когда мы транзистор загоняем в насыщение, увеличивая ток базы. Но процентное отношение к эмиттерному току начинает резко падать - это и есть насыщение. Образно говоря, "коллекторный ветер", в силу своей ограниченной (внешними цепями) величины, не успевает "проветрить" базу, куда эмиттер "надул" (наинжектировал) слишком много неосновных носителей ;-) "Девацца им оттудова некуда, потому потенцыалл коллектора начинает неудержымо приближацца к емиттерному." +++ Деваться им из коллектора очень даже есть куда - в цепь нагрузки. Биполярный транзистор - это токовый прибор :-))) Потенциал коллектора является довольно второстепенной функцией. Не потенциал коллектора определяет ток коллектора, а (в обычном включении) с точностью до наоборот: ток коллектора вкупе с током базы определят, какое на коллекторе устаканится напряжение. Ток коллектора можно определить по точке пересечения нагрузочной прямой с семейством коллекторных характеристик транзистора. В первом приближении ток коллектора равен Vcc/Rк, где Vcc - напряжение питания каскада, Rк - сопротивление коллекторной нагрузки. Более точно: Iк = (Vcc - Uкэнас)/Rк. Потенциал коллектора Uкэнас отнюдь не "неудержимо приближается", да и вообще ни хрена не приближается к нулю. Он в точности равен напряжению в самой левой точке пересечения нагрузочной прямой с коллекторными хар-ками, для примера показанными на рис.5.16-б по ссылке "Откудова они(избыточныи основные для коллектора) начинают инжектироваться вбок, в базу,"... +++ Далее у вас идет ерунда, основанная на ложных посылках. В частности: "Шунтирование шотткой позволяет оттяпать избыточную часть тока базы ДО того, как начнётся массовая инжекцыя из коллектора." +++ Не-а. До того, как в базе накопятся избыточные неосновные носители.