Лaгyнoв (16.11.2021 14:01, просмотров: 3850)-
- Не пробовал код из RAM? На AT91SAM7SXXX девайсах метод был
достаточно популярен, на IAR 6.X достаточно было переключить тип
проекта. - RxTx(18.11.2021 20:41)
- У FLASH разрушающие стирание/запись. Разрушающее чтение у FRAM - Vit(18.11.2021 21:49)
- Я до такого состояния только несколько PIC18 доводил. Стираются нормально, но после программирования верификацию не проходят. - Tech_(16.11.2021 18:00)
- у меня на столе тестовый экз. устройства. Скоро год. Часто по 20-30 раз в сутки (а может больше) его стираю/записываю . Вроде как приблизиться должен к 10 тыс скоро. Что беспокоит? Иногда перед внутрисхемным программировании не стирается страница (2К). Я тут как-то уже жаловался, потом нашел у себя глупость. Делал FLASH_Lock не дождавшись завершения стирания -> (FLASH->SR&0x00010000)==0. Но сейчас это давно исправлено - Лaгyнoв(16.11.2021 17:49)
- Я не знаю как именно внутри STM32 устроен контроллер
стирания/записи Flash, но "истирание" памяти сопровождается
появлением "плавающих" бит. Т.е. значения некоторых бит ячеек Flash
могут считываться то так (0), то этак (1). - rezident(16.11.2021 14:36)
- Вспомнил, где я про неисправности Flash NOR-типа читал - в
техасской апликухе. Understanding MSP430 Flash Data Retention (Rev. A). См. раздел 2.2 Flash Failure Mechanism. rezident(2 знак., 16.11.2021 17:24, ссылка, ссылка)
- то есть всё то же - увеличение времени стирания (к примеру). - Лaгyнoв(16.11.2021 17:42)
- Там перечислены три основных фактора, связанные с тем, что со
временем затвор транзистора ячейки памяти течь начинает. - rezident(16.11.2021 18:28)
- Граммар-наци негодует: затвор не течет, а падает сопротивление
изоляции затвора. Как результат со временем нолики превращаются в
единички. - BlackMorda(18.11.2021 19:59)
- Механизм "износа" eeprom памяти в большинстве случаев представляет
собой неустранимый charge trapping на плавающем затворе
транзистора. Т.е. проводится попытка erase, а на затворе все равно
присутствует заряд. Таким образом, механизм "износа" обратен -
нестираемый '0'. Если присутствует утечка, то это не износ, это
дефект производста. Ячейка или не может быть запрограммирована, или
вскорости теряет свое состояние с '0' на '1'. Неустранимый со
временем заряд возникает в RxTx(228 знак., 18.11.2021 20:37)
- Странно. Электроны накапливаются в диэлектрике и не удаляются
электрическим полем? Ну ладно, Лагунов разберется и предоставит
отчет. :-) - BlackMorda(18.11.2021 20:41)
- а мне всегда казалось, что оно наоборот, после тыщ управляемых
пробоев диэлектрика настолько ломало диэлектрику целостность, что
заряды должны были бы стекать не задерживаясь. - Mahagam(18.11.2021 22:26)
- Всё бы вам целостность ломать... ^_^ - RxTx(18.11.2021 22:30)
- а мне всегда казалось, что оно наоборот, после тыщ управляемых
пробоев диэлектрика настолько ломало диэлектрику целостность, что
заряды должны были бы стекать не задерживаясь. - Mahagam(18.11.2021 22:26)
- Странно. Электроны накапливаются в диэлектрике и не удаляются
электрическим полем? Ну ладно, Лагунов разберется и предоставит
отчет. :-) - BlackMorda(18.11.2021 20:41)
- Механизм "износа" eeprom памяти в большинстве случаев представляет
собой неустранимый charge trapping на плавающем затворе
транзистора. Т.е. проводится попытка erase, а на затворе все равно
присутствует заряд. Таким образом, механизм "износа" обратен -
нестираемый '0'. Если присутствует утечка, то это не износ, это
дефект производста. Ячейка или не может быть запрограммирована, или
вскорости теряет свое состояние с '0' на '1'. Неустранимый со
временем заряд возникает в RxTx(228 знак., 18.11.2021 20:37)
- Граммар-наци негодует: затвор не течет, а падает сопротивление
изоляции затвора. Как результат со временем нолики превращаются в
единички. - BlackMorda(18.11.2021 19:59)
- Там перечислены три основных фактора, связанные с тем, что со
временем затвор транзистора ячейки памяти течь начинает. - rezident(16.11.2021 18:28)
- то есть всё то же - увеличение времени стирания (к примеру). - Лaгyнoв(16.11.2021 17:42)
- Вспомнил, где я про неисправности Flash NOR-типа читал - в
техасской апликухе. Understanding MSP430 Flash Data Retention (Rev. A). См. раздел 2.2 Flash Failure Mechanism. rezident(2 знак., 16.11.2021 17:24, ссылка, ссылка)
- Гугел молчит, как рыба об лёд. Видимо, нужно самостоятельно
экспериментировать. Причём на разных STM32 я бы ожидал разные
результаты. Там флеши разные бывают, если судить по устройству
регистров, размерам секторов и т.д. - SciFi(16.11.2021 14:32)
- Смотри что сети принесли RxTx(1 знак., 18.11.2021 20:42, ссылка)
- Смотрю. Ничего интересного не увидел. Не туда смотрю? - SciFi(18.11.2021 20:47)
- Да не то чтобы интересно, так, Лагунову полезно. - RxTx(18.11.2021 21:21)
- Смотрю. Ничего интересного не увидел. Не туда смотрю? - SciFi(18.11.2021 20:47)
- Смотри что сети принесли RxTx(1 знак., 18.11.2021 20:42, ссылка)
- Если есть желание предупредить отказ флеш, то лучше следить за времененм стирания/записи. Оно должно расти перед отказом. - misyachniy(16.11.2021 14:23)
- Не пробовал код из RAM? На AT91SAM7SXXX девайсах метод был
достаточно популярен, на IAR 6.X достаточно было переключить тип
проекта. - RxTx(18.11.2021 20:41)