Микроконтроллеры

По поводу ПДФа не скажу, бо плохо идёт ;О)... Но, в принцыпе, загнать транзистор в насысчение можно фактицски в любом режыме. Ток коллектора, ессно, не инвертируецца, просто в ём появляется та самая обратная составляюсчая. Эффективность эмиттера, в принцыпе, мало зависит от режыма. При насысчении, когда мах ток коллектора ограничен, наблюдается избыток носителей, инжектированных эмиттером в том самом коллекторе. Девацца им оттудова некуда, потому потенцыалл коллектора начинает неудержымо приближацца к емиттерному. Откудова они(избыточныи основные для коллектора) начинают инжектироваться вбок, в базу, создавая тот самый "реверсный" точок, обграничиваюсчий ток направления БЕ, и, соотв, снижая инжекцыю из эмиттера. Но ток коллектора из нагрузки не меняицца, ессно(направление). Ответвляицца только разницца тока, инжектированная эмиттером и не ушедшая в нагрузку. Вредность его в том, что конструкцыя эмиттера делается таковой, чтобы инжекцыя происходила в направлении коллекторного перехода, а не пассивных областей базы, а коллекторный переход охватывает всю базу полностью. Соотв неосн. носители из коллектора инжектируюцца во все области базы и накапливаюцца там(в пассивных областях)надолго. в то время, как из эмиттера вбок уходит сравнительно малая часть. ;О) Шунтирование шотткой позволяет оттяпать избыточную часть тока базы ДО того, как начнётся массовая инжекцыя из коллектора. А транзистор не знает в каком он режыме. Если эффективность эмиттера(характеристика конструкцыи и технологии транзистора) высока, то загнать его в насысчение мона даже фототоком. Надо только создать условия, когда инжектируемый эмиттером ток превышает принцыпиально возможный ток коллектора. И всё. ;О)