Микроконтроллеры

Да по сути них не отличаются, но для ОЭ критерий проще ;-) Для ОЭ насыщение, как известнo, это когда Iк < B*Iб А для ОБ насыщение - это мутная взвесь ;-) Поcмотрите на тугамент по ссылке http://www.doe.car …n.ca/~tjs/16-bjtop.pdf , это типичный экземплярчик засирающих мозги учебников, Смотрите, чувак на стр.5-7 объясняет активный режим. Но при этом, засранец,ни словом не обмолвился, что в режим насыщения транзистор войдет, имея точно такое же направление токов, как в активном режиме. Зато далее, объясняя режим насыщения на стр.16-18, он нахально меняет направление коллекторного тока. Теретицки это тоже насыщение, но только кому оно нaх нужно такое? И как такой режим прикaжете называть? Вот я и назвал такой дурацкий режим "насыщеним для ОБ". Благо обычную схему с ОЭ в такой режим загнать практически невозможно. А blackbit это принимает за чистую монету, и думает, что в насыщении транзюк работает именно так как на стр.16-18, и никак иначе. Ему, наверное, в голову не приходит, что этот рeжим - выморочный, а в реальных схемах, когда транзистор в насыщении, токи текут так же, как в активном режиме.