caxapa.ru :: Них не понял ;О).А что, насыщение в ОЭ,ОК или ОБ отличаются друг от друга?

=mse= (11.02.2005 10:07, просмотров: 1) ответил =AK= на Ни капли не кривлю

Них не понял ;О).А что, насыщение в ОЭ,ОК или ОБ отличаются друг от друга?

- Да по сути них не отличаются, но для ОЭ критерий проще ;-) =AK=(1085 знак., 11.02.2005 10:49)
  - По поводу ПДФа не скажу, бо плохо идёт ;О)... =mse=(1655 знак., 11.02.2005 11:29)
    - Ой, блин, еще один? =AK=(3007 знак., 11.02.2005 13:04, ссылка)
      - ну и насчёт шоттки, вы тожа зря ;О) До того, как в базе накопятся избыточные неосновные носители откуда они накопятся? Не копились, не копились, а тут нате вам. ;О) Вот его и ставят чтобы неповадно копиться было. - =mse=(11.02.2005 15:01)
        
        ну елкин корень =AK=(200 знак., 11.02.2005 16:23)
        
        ну вы читаете или как? ;О)... =mse=(996 знак., 11.02.2005 17:13)
        
        Все. Надоели. Последний раз повторяю. =AK=(912 знак., 12.02.2005 00:16)
        
        Вот вам ссылка. Читайте, вникайте, вычисляйте напр. насыщения по формуле. - =AK=(12.02.2005 09:32, ссылка)
        
        Оуеть, ;О) Мы тута распинаемся, себя не жалея, вспоминаем физику полупроводниковых приборов(не самые лёгкие воспоминания, скажем прямо ;О), а нам тут "Ideal transistor model->Saturation"..."Здра-а-авствуйте, девочки"(С). - =mse=(12.02.2005 10:53)
        
        Кстати, дорогой товарищ, фраза оттудова ;О) =mse=(252 знак., 12.02.2005 10:59)
        
        Зря распинаетесь =AK=(1059 знак., 12.02.2005 11:35)
        
        Уважаемый, ;О) на этой "теории" основано конструирование полупроводниковых структур "теоретиками", вроде блэкбита, меня... ну и ещё всякими бездельниками из ПП компаний ;О) =mse=(1086 знак., 12.02.2005 12:02)
        
        Х-ха-ха-ха-ха..... а-а-а-а-а ;О) там прямым текстом-же написано... Оуенные аргументы приводите в свою защиту,;О) я бы поосторожничал, ей-богу =mse=(662 знак., 12.02.2005 11:18)
        
        Вот вам простой пример =AK=(452 знак., 12.02.2005 12:03)
        
        Не, подожди, ;О) не путай с ног на голову... =mse=(1230 знак., 12.02.2005 12:50)
        
        Хрен с два =AK=(374 знак., 12.02.2005 13:02)
        
        Да ладно, не горячись ;О) "Хвызики" пользуются этим, лирики - другим...Хватает нагрузочных кривых, и слава богу, но только не надо говорить, что всё что нужно для жызьни ими и описывается. ;О) И кроме них ничего не бывает. Я, например, нагрузоч =mse=(74 знак., 12.02.2005 13:11)
        
        А я и не говорю "все на свете" =AK=(302 знак., 12.02.2005 13:19)
        
        всё верно, но!... =mse=(531 знак., 12.02.2005 13:33)
        
        Повторю... =AK=(524 знак., 12.02.2005 13:10)
        
        ну хорошо, а в формУле что такое В? В смысле, число, его размер? Букевка из справочника?...;О) =mse=(379 знак., 12.02.2005 13:22)
        
        Коэфф. передачи, ессно =AK=(261 знак., 13.02.2005 05:36)
        
        ;О) "...боле-мене постоянный - это активный режим..." он в активном режЫме раз в 5-10 измениться не дурак. Смеху ради померьте при Ик=0.1, 1, 10, 100мА у малосигнальника в линейном. =mse=(460 знак., 14.02.2005 10:05)
        
        Ээ =AK=(2190 знак., 14.02.2005 15:55)
        
        ;О) =mse=(2370 знак., 14.02.2005 16:58)
        
        Ответ: - =AK=(12.02.2005 12:12)
      - Тут, блин на каждую вашу фразу устанешь реагировать ;О) =mse=(1703 знак., 11.02.2005 14:36)
        
        Ерунда =AK=(626 знак., 11.02.2005 16:15)
        
        Да ладно вам, ;О) если бы так просто всё было... =mse=(524 знак., 11.02.2005 17:14)
      - Ну и ещё хе-хе-хе насчёт коллекторных характеристик ;О)... =mse=(263 знак., 11.02.2005 14:12)
      - хе-хе-хе ;О)... =mse=(1802 знак., 11.02.2005 14:05)
        
        "напряжённость поля в базе хоть и небольшая" ;О) скажем 10мкм и 0,2В, итого 20000в/м ;О) - =mse=(11.02.2005 14:42)
    - уточнение "насысчение можно фактицски в любом режыме" ,"транзистор не знает в каком он режыме" имею в виду "схему включения" ОБ ОЭ ОК - =mse=(11.02.2005 11:38)

Микроконтроллеры