Микроконтроллеры

Нет, вы... В опусе по приведенной мною ссылке очень хорошо видно, как "теоретики" несут пургу, не задумываясь о смысле. Посмотрите рисунок на стр.16 - схема ОЭ. И комментарий к ней: The saturation region of operation is characterised by forward bias potentials on both the base-emitter and base-collector junctions (implying VBE ≥ VCE). И вот после этого "теоретик" рисует схему ОБ (стр.17), где из коллектора течет ток, хотя в режиме насыщения по схеме ОЭ он течет в коллектор (что даже показано на стр.16). Это как называется? Как я догадываюсь, после чтения подобных неряшливых авторов у вас в голове получилась такая же каша. Отсюда и ваши смешные заявления об инжектировании из коллектора в базу, и накоплении неосновных носителей в коллекторе. Для фототранзистора, в режиме ОЭ, в стандартной схеме включения! Неужели так трудно догадаться, что при этом инверсии коллекторного тока не будет никогда? "Теоретику" трудно, у него шоры... И ссылки/цитаты ваши совершенно неуместны. Скорей всего авторы рассуждают о таком же ОБ включении, как на стр. 17 упомянутого опуса, что неприменимо к предмету (по приведенным отрывка судить трудно). Возможно приводимые вами авторы так же неряшливы, как этот опус. Или, возможно, они вполне корректны, и делают соответствующие оговорки, да только, вероятно, такие нюансы ускользнули от вашего внимания.