Микроконтроллеры

Вот вам цитаты. Смейтесь. Основы: "Глава 3 Биполярные транзисторы интегральных микросхем В обычном транзисторе в режиме насыщения при достаточно большом токе базы прямое напряжение на коллекторном p-n переходе почти равно (чуть меньше) прямому напряжению на эмиттерном p-n переходе. Поэтому наряду с инжекцией электронов из эмиттера в базу происходит инжекция электронов в базу из коллектора (nб(x)) и, что особенно важно, инжекция дырок из базы в коллектор (pк(x)), т.е. в относительно высокоомный эпитаксиальный слой n-типа" (С) Аваев Н.А. Наумов Ю.Е. Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники "2.3 Расчет усилительных и частотных параметров биполярного транзистора ...прямое смещение коллектора. В этом случае наряду с собиранием инжектируемых эметтером электронов будет происходить инжекция электронов самим коллектором. В результате коллекторный ток станет заметно меньше эмиттерного..." (С) Ефимов И.E. Козырь И.Я Горбунов Ю.И. Микроэлектроника А вот уже посерьезнее источник (для разработчиков). Из библии "голубого хера": "9.2 Переходные процессы в мощных биполярных транзисторах. ...Когда n+-p-v-n+ транзистор работает при плотностях тока J"0, больших критического значения (расширение базы), переход коллектор-база становится прямосмещенным. Таким образом, через него осуществляется инжекция электронов в p-базу и инжекция дырок в коллекторную V-область. Накопление зарядов в этих областях повышает величину коллекторной емкости более чем на порядок. Это приводит к значительному увеличению времени заряда... [...] ... Для того чтобы выключить транзистор, необходимо удалить весь накопленный заряд в p-базе и V-области коллектора и разрядить эмиттерную и коллекторную емкости..." (С) Блихер А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов. P.S.: Пасынкова пока не могу найти. Неужели увели?